9月3日，由開放數(shù)據(jù)中心委員會(huì) (ODCC) 主辦的“2024開放數(shù)據(jù)中心峰會(huì)”于今日在北京國際會(huì)議中心隆重召開。三星電子副總裁兼閃存應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人，沈昊俊在會(huì)上發(fā)表了“跨入未來：人工智能時(shí)代的存儲(chǔ)創(chuàng)新”的主題演講。他深入淺出的介紹了推動(dòng)社會(huì)進(jìn)入生成式AI新時(shí)代的三大因素，即計(jì)算能力的飛躍，大語言模型（LLM）的精進(jìn)，以及各種AI服務(wù)的興起，并進(jìn)一步探討了生成式AI時(shí)代“更優(yōu)AI”的技術(shù)趨勢，指出新時(shí)代面臨的挑戰(zhàn)不僅僅是存儲(chǔ)器大容量的需求，隨著邁向更精密的AI模型，存儲(chǔ)器的高性能讀寫能力也是當(dāng)下面臨的巨大挑戰(zhàn)。
演講中，沈昊俊介紹了為解決這些問題三星半導(dǎo)體提出的存儲(chǔ)解決方案和行業(yè)主流應(yīng)用趨勢。為克服性能和容量的制約，采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業(yè)趨勢。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM則日益突破內(nèi)存容量限制，滿足市場對(duì)大容量的需求。
關(guān)于目前行業(yè)主流應(yīng)用的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品，沈昊俊分別介紹了三星半導(dǎo)體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，不久將可供應(yīng)128GB/256GB等大容量封裝規(guī)格；以及擁有目前三星最高隨機(jī)寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。
演講中，沈昊俊介紹了為解決這些問題三星半導(dǎo)體提出的存儲(chǔ)解決方案和行業(yè)主流應(yīng)用趨勢。為克服性能和容量的制約，采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業(yè)趨勢。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM則日益突破內(nèi)存容量限制，滿足市場對(duì)大容量的需求。關(guān)于目前行業(yè)主流應(yīng)用的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品，沈昊俊分別介紹了三星半導(dǎo)體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，不久將可供應(yīng)128GB/256GB等大容量封裝規(guī)格；以及擁有目前三星最高隨機(jī)寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。
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